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onsemi FDB6021P
| Artikelnummer: | FDB6021P |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 20V 28A TO263AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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onsemi FDB6021P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FDB6021P.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Vgs (Max) ±8V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) Serie PowerTrench® Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 14A, 4.5V Verlustleistung (max) 37W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1890 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 4.5 V Typ FET P-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 28A (Ta) Grundproduktnummer FDB602 FDB6021P Einzelheiten PDF [English] FDB6021P PDF - EN.pdf -
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